Beschreibung (Deutsch):
Zum Verkauf stehen 50 Stück N-Kanal MOSFETs BSS138LT1G vom Hersteller onsemi, im kompakten SOT-23 Gehäuse.

Ideal für Level-Shifting, Schaltanwendungen und Low-Power-Elektronik.

Produktdetails:

• Hersteller: onsemi
• Typ: BSS138LT1G
• Transistortyp: N-Kanal MOSFET
• Gehäuse: SOT-23-3 (TO-236)
• Marking: J1
• Drain-Source-Spannung (Vdss): 50 V
• Drainstrom (Id): 200 mA
• Rds(on): max. 3,5 Ω @ 200 mA, 5 V
• Gate-Schwellspannung (Vgs(th)): max. 1,5 V
• Gate-Spannung (max.): ±20 V
• Eingangskapazität (Ciss): 50 pF @ 25 V
• Verlustleistung: 225 mW
• Temperaturbereich: -55°C bis +150°C
• Montage: SMD

Eigenschaften:

• Niedrige Gate-Schwellspannung (logic level geeignet)
• Kompakte Bauform
• Gute Schaltleistung bei niedrigen Spannungen
• Zuverlässige Qualität von onsemi

Anwendungen:

• Level-Shifter (z. B. I2C)
• Schaltanwendungen
• Low-Power Designs
• Signalsteuerung

Lieferumfang:

• 50 Stück (gegurtet / Gurtabschnitt)

Zustand:
Neu / unbenutzt

Description (English):
For sale are 50 pieces of BSS138LT1G N-channel MOSFETs from onsemi, in compact SOT-23 package.

Ideal for level shifting, switching, and low-power applications.

Product details:

• Manufacturer: onsemi
• Type: BSS138LT1G
• Transistor type: N-channel MOSFET
• Package: SOT-23-3 (TO-236)
• Marking: J1
• Drain-source voltage (Vdss): 50 V
• Drain current (Id): 200 mA
• Rds(on): max. 3.5 Ω @ 200 mA, 5 V
• Gate threshold voltage (Vgs(th)): max. 1.5 V
• Gate voltage (max.): ±20 V
• Input capacitance (Ciss): 50 pF @ 25 V
• Power dissipation: 225 mW
• Operating temperature: -55°C to +150°C
• Mounting type: SMD

Features:

• Low gate threshold (logic level compatible)
• Compact package
• Good switching performance at low voltage
• Reliable onsemi quality

Applications:

• Level shifting (e.g. I2C)
• Switching applications
• Low-power designs
• Signal control

Scope of delivery:

• 50 pieces (tape / cut tape)

Condition:
New / unused