• Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES •
• Transistor-Typ: N-MOSFET •
• Technologie: ® •
• Polarisierung: unipolar •
• Drain-Source Spannung: 60V •
• Drainstrom: 195A •
• Verlustleistung: 375W •
• Gehäuse: TO247AC •
• Gate-Source Spannung: ±20V •
• Widerst im Leitungszust: 2.1mΩ •
• Montage: THT •
• Gate-Ladung: 200nC •
• Verpackungs-Art: Tube •
• Kanal-Art: stark •
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• Lieferumfang: 1 Stk. •
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