Der Transistor IPD35N10S3L-26 von Infineon mit der Markierung 3N10L26 im TO-252 (DPAK) Gehäuse ist ein leistungsstarker N-Channel Power MOSFET für Automotive-Anwendungen. Er wird in der Fahrzeugelektronik in Motorsteuergeräten (ECU), insbesondere in EDC17- und EDC17CP14-Systemen, eingesetzt.

Das Bauteil findet Anwendung in Fahrzeugen von Volkswagen (Passat, Touareg, Golf), Audi, Seat, Škoda sowie Hyundai und Kia (z. B. IX35, IX55, Santa Fe, Tucson, Carnival, Mohave, Sorento, Sportage) und weiteren Plattformen.

🔹 Hersteller: Infineon Technologies
🔹 Modell: IPD35N10S3L-26
🔹 Marking: 3N10L26
🔹 Gehäuse: TO-252 / DPAK
🔹 Typ: N-Channel Power MOSFET
🔹 Zustand: Neu
🔹 Anwendungsbereich: ECU, EDC17, EDC17CP14, Automotive Elektronik

⚙️ Technische Merkmale:

  • Drain-Source-Spannung (Vds): 100 V
  • Dauerstrom (Id): bis 35 A
  • Sehr niedriger RDS(on): typ. ~26 mΩ
  • Logic-Level Gate-Ansteuerung
  • Schnelle Schaltzeiten
  • Avalanche robust
  • Hohe Energiebelastbarkeit
  • Optimiert für induktive Lasten
  • AEC-Q101 qualifiziert
  • TO-252 Gehäuse mit guter Wärmeableitung
  • Betriebstemperaturbereich bis +175 °C

📘 Hinweis: Häufig eingesetzt in Motorsteuergeräten (EDC17-Serie) für die Ansteuerung von Ventilen, Relais und weiteren Leistungsaktoren in Diesel- und Benzinsteuerungen.

Spezifikationen IPD35N10S3L-26 marking 3N10L26 Datenblatt  

 https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPD35N10S3L-26-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b

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Herkunft laut Herstellerangaben nicht eindeutig nachvollziehbar.