Erleben Sie rasend schnelle Leistung und robuste Zuverlässigkeit mit der Samsung 9100 PRO NVMe M.2 SSD, ein hochkarätiges Speicherupgrade für Ihr Laptop, PC oder Memory Vault. Diese interne SSD im M.2-Format nutzt die fortschrittliche PCIe 5.0-Technologie und bietet eine beeindruckende Lesegeschwindigkeit von bis zu 14.800 MB/s, ideal für schnelle Datenübertragungen und flüssiges Gaming. Mit einer großzügigen Speicherkapazität von 2 TB, präzisen Abmessungen von 80 mm Breite, 25 mm Länge und einer Höhe von nur 2,38 mm, fügt sich diese SSD perfekt in Ihre Hardware ein und ist zudem mit den führenden Betriebssystemen kompatibel. Die Kombination aus erstklassiger Marke Samsung und der Modellnummer MZ-VAP4T0BW garantiert Ihnen ein Produkt von höchster Qualität, das Ihren Anforderungen an Geschwindigkeit und Speicherplatz in vollem Umfang gerecht wird.

  • KonnektivitätPCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
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  • Sequenzielle Lesegeschwindigkeitbis zu 14.800 MB/s
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  • Sequenzielle Schreibgeschwindigkeitbis zu 13.400 MB/s
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  • FormfaktorM.2 (2280)

Artikelinformationen

  • Artikelname9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB
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  • EAN8806095811703

Weitere technische Daten

  • Durchschnittliche Leistungsaufnahme (Betrieb)Durchschnitt: Lesen 8,1 W / Schreiben 7,9 W
    * Der tatsächliche Stromverbrauch kann je nach Systemhardware und Konfiguration variieren.
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  • Leistungsaufnahme (Leerlauf)4,8 mW
    * Der tatsächliche Stromverbrauch kann je nach Systemhardware und Konfiguration variieren.
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  • Power Consumption (Device Sleep)4 mW
    * Der tatsächliche Stromverbrauch kann je nach Systemhardware und Konfiguration variieren.
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  • Betriebsspannung3,3 V ± 5 % Zulässige Spannung
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  • Zuverlässigkeit (MTBF)1,5 Millionen Stunden (MTBF)
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  • Betriebstemperatur0°C bis 70°C
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  • Stoßsicherheit1.500 G Dauer & 0,5 m/sek. (Halbsinus)

Zubehör

  • InstallationszubehörNein

Software

  • VerwaltungssoftwareSamsung Magician Software

Besondere Eigenschaften

  • AnwendungAI PCs, Hardcore Gaming PCs
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  • Kapazität4.000 GB
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  • FormfaktorM.2 (2280)
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  • KonnektivitätPCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
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  • Gerätemaße (B x H x T)80,15 x 25 x 2,38 mm (max.)
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  • Gewicht9,0 g
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  • Storage-SpeicherSamsung V-NAND TLC
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  • ControllerSamsung in-house Controller
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  • Cache-SpeicherSamsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM

Weitere Eigenschaften

  • TRIM UnterstützungJa
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  • S.M.A.R.T UnterstützungJa
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  • GC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection Algorithm
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  • VerschlüsselungAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
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  • WWN UnterstützungNein
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  • Device Sleep Mode UnterstützungJa

Energiedaten gemäß EU Verordnung 2019/2014 ( 2017/1369)

  • Sequenzielle Lesegeschwindigkeitbis zu 14.800 MB/s
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  • Sequenzielle Schreibgeschwindigkeitbis zu 13.400 MB/s
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  • Random Readbis zu 1,850,000 IOPS
    * Die Leistung kann je nach Systemhardware und -konfiguration variieren
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  • Random Writebis zu 2,600,000 IOPS
    * Die Leistung kann je nach Systemhardware und -konfiguration variieren