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Bur 50 s
De stmicroelectronics
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Données techniques:
Type de concepteur: Bur50
Matériel du transistor: Si
Polarité: NPN
Dissie maximale de puissance du collecteur (PC): 350 W
Tension de base du collecteur maximum | VCB |: 200 V
Tension d'émetteur de collecteur maximum | VCE |: 125 V
Tension de base d'émetteur maximale | VEB |: 10 V
Courant du collecteur maximum | Ic max |: 70 a
Max. Température de jonction de fonctionnement (TJ): 200 ° C
Fréquence de transition (FT): 10 MHz
Ratio de transfert de courant avant (HFE), Min: 20
Package: TO3

Fondamentalement, vous en recevez un de nous, avec les marchandises, également une
Bill en papier imprimé avec une TVA désignée.
-> toujours dans le sac d'expédition sur Le package !!!
-> La facture est toujours dans le sac d'expédition sur Le paquet!

Note pour tous les acheteurs qui ne vivent pas en Allemagne:
Les livraisons à l'étranger sont effectuées sous forme de lettres enregistrées avec avion.
Avec numéro de suivi.
Dissie maximale de puissance du collecteur (PC): 350 W Tension de base du collecteur maximum | VCB |: 200 V Tension d'émetteur de collecteur maximum | VCE |: 125 V Tension de base d'émetteur maximale | VEB |: 10 V Courant du collecteur maximum | Ic max |: 70 a Max. Température de jonction de fonctionnement (TJ): 200 ° C Fréquence de transition (FT): 10 MHz Ratio de transfert de courant avant (HFE), Min: 20 Fondamentalement, vous en recevez un de nous, avec les marchandises, également une Bill en papier imprimé avec une TVA désignée. -> toujours dans le sac d'expédition sur Le package !!! -> La facture est toujours dans le sac d'expédition sur Le paquet! Note pour tous les acheteurs qui ne vivent pas en Allemagne: Les livraisons à l'étranger sont effectuées sous forme de lettres enregistrée