Leistungs-MOSFET
P-Kanal im Plastikgehäuse
P-Kanal im Plastikgehäuse
- UDS = 55 V
- ID25 = 19 A
- RDS(on) = 0,100 Ohm
- UGS(th) = 2,0 V
- td(on) = 13 ns
- td(off) = 30 ns
- Ptot = 68 W
- Gehäuse TO220AB
- Hersteller International Rectifier (jetzt Infineon)
UDS = max. Drain-Source Voltage (Drain-Source Spannung)
ID25 = max. Continuous Drain Current at TC = 25°C (maximaler Drain-Strom)
RDS(on) = max. Drain-Source On-Resistance (maximaler Drain-Source Widerstand)
UGS(th) = min. Gate Threshold Voltage
td(on) = Turn-On Delay Time (Einschaltverzögerung)
td(off) = Turn-Off Delay Time (Ausschaltverzögerung)
Ptot = Power Dissipation (maximale Verlustleistung)
Alle Daten sind Nenndaten, die Toleranzen unterliegen.
ID25 = max. Continuous Drain Current at TC = 25°C (maximaler Drain-Strom)
RDS(on) = max. Drain-Source On-Resistance (maximaler Drain-Source Widerstand)
UGS(th) = min. Gate Threshold Voltage
td(on) = Turn-On Delay Time (Einschaltverzögerung)
td(off) = Turn-Off Delay Time (Ausschaltverzögerung)
Ptot = Power Dissipation (maximale Verlustleistung)
Alle Daten sind Nenndaten, die Toleranzen unterliegen.