MTW32N20E Mejora de MOSFET de potencia 32 amperios, 200 voltios TO-247
Categoría de producto:MOSFET
Estilo de montaje:A través del agujero
Paquete/Estuche:A-247-3
Polaridad del transistor:Canal N
Número de canales:1 canal
Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente:200V
Id - Corriente de drenaje continua:32A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente:75 mOhmios
Vgs - Voltaje puerta-fuente:- 20V, +20V
Temperatura mínima de funcionamiento:- 55ºC
Temperatura máxima de funcionamiento:+ 150ºC
Pd - Disipación de potencia:180W
Modo de canal:Mejoras
Tipo de transistor:1 canal N
Tipo:MOSFET
Ancho:5,3 mm
Transconductancia directa - Min:12S
Tiempo de otoño:91 segundos
Tiempo de subida:120 ns