3 Stück

IRFD9120

MOSFET P-Channel 100V 1A / 1,3W 0,6 Ohm 4-DIP HVMDIP

 Manufactured by: Vishay

Features
Typ FET: P-Kanal    
Technologie: MOSFET (Metalloxid)    
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V    
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C: 1 A (Ta)    
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)): 10 V    
Vgs(th) (max.) bei Id: 4 V bei 250 µA    
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs: 18nC @ 10V    
Vgs (Max.): ±20 V    
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds: 390pF @ 25V        
Verlustleistung (max.): 1,3 W (Ta)    
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C: 600 mOhm bei 600 mA, 10 V    
Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)    
Montagetyp: Durchführungsloch    
Technologie: Si
Montageart: Through Hole
Verpackung/Gehäuse: HVMDIP-4
Höhe: 3.37 mm
Länge: 6.29 mm
Breite: 5 mm

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