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Attribut de produit |
Valeur d'attribut |
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Fabricant: |
onsemiconductor |
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Catégorie
du produit: |
Transistors
bipolaires - BJT |
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RoHS: |
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Style de
montage: |
Through
Hole |
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Package/Boîte: |
TO-92-3 |
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Polarité
du transistor: |
NPN |
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Configuration: |
Single |
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Collecteur
- Tension de l'émetteur VCEO max.: |
80 V |
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Collecteur
- Tension de base VCBO: |
80 V |
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Émetteur -
Tension de base VEBO: |
4 V |
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Tension de
saturation collecteur-émetteur : |
250 mV |
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Courant CC
max. du collecteur: |
500 mA |
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Pd -
Dissipation d’énergie : |
625 mW |
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Produit
gain-bande passante fT : |
100 MHz |
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Température
de fonctionnement min.: |
- 55 C |
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Température
de fonctionnement max.: |
+ 150 C |
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Série: |
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Conditionnement: |
Bulk |
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Marque: |
onsemiconductor /
Fairchild |
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Courant de
collecteur continu : |
500 mA |
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Hauteur: |
5.33 mm |
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Longueur: |
5.2 mm |
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Type de
produit: |
BJTs -
Bipolar Transistors |
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10000 |
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Sous-catégorie: |
Transistors |
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Technologie: |
Si |
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Largeur: |
4.19 mm |
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Poids de
l''unité: |
201 mg |