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4x Transistor PNP Germanium AFY18 SIEMENS 10 V=30 10mA TO72
Type
Designator: AFY16
Material
of Transistor: Ge
Polarity:
PNP
Maximum
Collector Power Dissipation (Pc): 0.112 W
Maximum
Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V
Maximum
Collector-Emitter Voltage |Vce|: 25 V
Maximum
Collector Current |Ic max|: 0.01 A
Max.
Operating Junction Temperature (Tj): 90 °C
Transition
Frequency (ft): 350 MHz
Collector
Capacitance (Cc): 0.4 pF
Forward
Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10
Noise
Figure, dB: -
Package: TO72
4x Transistor PNP Germanium AFY18 SIEMENS 10 V=30 TO72
Type Designator: AFY16
Material of Transistor: Ge
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.112 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 25 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.01 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 90 °C
Transition Frequency (ft): 350 MHz
Collector Capacitance (Cc): 0.4 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10
Noise Figure, dB: -
Package: TO72
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