Technische Daten

• Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
• Transistor-Typ: N-MOSFET
• Technologie: HEXFET®
• Polarisierung: unipolar
• Drain-Source Spannung: 100V
• Drainstrom: 63A
• Verlustleistung: 140W
• Gehäuse: DPAK
• Montage: SMD
• Verpackungs-Art: Rolle
• Kanal-Art: stark
• Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level