🔩 Motorola 2N6341 – NPN Leistungstransistor – TO-3 – 1 Paar – Vintage NOS (1990er) – ORIGINAL MOTOROLA

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🇩🇪 Beschreibung (Deutsch)

Zum Verkauf steht 1 Paar original MOTOROLA 2N6341 NPN-Leistungstransistoren im Metallgehäuse TO-3. Zustand: NOS (New Old Stock) – neu, unbenutzt, aus Lagerbestand, gefertigt vermutlich in den 1990er Jahren. Ideal für Projekte im Bereich Vintage-Audio, HiFi-Endstufen, Netzgeräte oder industrielle Reparatur-/Restaurationsarbeiten.

Diese Transistoren wurden ursprünglich unter anderem verwendet in hochwertigen Audio-Endstufen oder industriellen Verstärkern bei Markenhersteller-Geräten (z. B. älteren Motorola-Designs, Militärtechnik oder High-End-Audio). Durch die hohe Spezifikation eignen sie sich auch für Bastler- und Restaurations-zwecke, bei denen Robustheit und Vintage-Charakter gefragt sind.

Technische Daten:

• Typ: NPN Silizium-Leistungstransistor (Motorola)

• Gehäuse: TO-3 Metall

• VCEO (Collector-Emitter) minimum: 150 V. 

• VCB (Collector-Base) maximum: ca. 180 V. 

• Ic (Kollektorstrom) max: etwa 25 A (kontinuierlich) . 

• Gesamt-Verlustleistung (Pd) am Gehäuse (TC=25 ℃): ca. 200 W. 

• hFE (DC-Verstärkung) bei Ic=10 A: typ. 30-120. 

• Übergangsfrequenz fT: ca. 40 MHz. 

Der Artikel wird sorgfältig geprüft, sicher verpackt und mit weltweitem Versand angeboten.

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🇬🇧 Description (English)

For sale: 1 pair original MOTOROLA 2N6341 NPN power transistors in a TO-3 metal package. Condition: NOS (New Old Stock) – unused, from stock, likely from the 1990s. Perfect for vintage audio amplifiers, power supplies, industrial repair or DIY audio projects.

These transistors were originally used in high-end audio amplifiers or industrial switching/military equipment (for example older Motorola designs). Their high specifications make them ideal for restorations and custom builds where robust, genuine vintage components are required.

Specifications:

• Type: NPN silicon power transistor (Motorola)

• Package: TO-3 metal

• VCEO (collector-emitter) minimum: 150 V

• VCB (collector-base) maximum: ~180 V

• Ic max: ~25 A

• Power dissipation Pd: ~200 W at case temperature (TC=25 °C)

• DC gain hFE: 30-120 at Ic=10 A

• Transition frequency fT: ~40 MHz

Carefully tested, securely packed and shipped worldwide.

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