| Fabricant | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
|---|---|
| Statut de la pièce | Actif |
| Type FET | Canal N |
| Technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 54 A (Ta), 150 A (Tc) |
| Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V |
| Vgs(th) (max.) à Id | 2 V à 250 µA |
| Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 64 nC à 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 3430 pF @ 15 V |
| Vgs (max.) | ±20 V |
| Dissipation de puissance (max) | 7,4 W (Ta), 83 W (Tc) |
| Rds passant (max.) à Id, Vgs | 1,7 mOhms à 20 A, 10 V |