Semi-conducteurs Philips
Transistor de puissance diffus en silicium
MPN: BU2527DX
Le forfait comprend 25 Transistors par commande

Paramètres:
Valeur de crête de tension collector-émetteur 1500v (max.)
Tension collector-émetteur (base ouverte) 800V (max.)
Courant du collecteur (DC) 12A (max.)
Valeur de crête de courant du collecteur 30A (max.) 
Dissie de puissance totale 45W (max.)
Tension de saturation collector-émetteur 5V (max.)
Courant de saturation des collectionneurs 6A (typique)

Semi-conducteurs Philips Transistor de puissance diffus en silicium MPN: BU2527DX Le forfait comprend 25 Transistors par commande Paramètres: Valeur de crête de tension collector-émetteur 1500v (max.) Tension collector-émetteur (base ouverte) 800V (max.) Courant du collecteur (DC) 12A (max.) Valeur de crête de courant du collecteur 30A (max.)  Dissie de puissance totale 45W (max.) Tension de saturation collector-émetteur 5V (max.) Courant de saturation des collectionneurs 6A (typique)