Samsung SSD interni INTERNO 990 EVO PLUS 4TB PCI-E NVME R/W 6300/7250 MBS MZ-V9S

Samsung SSD interni
Samsung SSD interni INTERNO 990 EVO PLUS 4TB PCI-E NVME R/W 6300/7250 MBS MZ-V9S

MZ-V9S4T0BW

Samsung Samsung SSD interni INTERNO 990 EVO PLUS 4TB PCI-E NVME R/W 6300/7250 MBS MZ-V9S
Descrizione
SSD interni SSD INTERNO 990 EVO PLUS 4TB PCI-E NVME R/W 6300/7250 MBS MZ-V9S4T0BW
Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.
Scheda Tecnica

Caratteristiche

Capacità SSD 4 TB

Dimensione SSD M.2

Interfaccia PCI Express 4.0

NVMe Sì

Tipo memoria V-NAND TLC

Componente per PC

criptaggio hardware Sì

Versione di NVMe 2.0

Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES

Dimensioni dell'unità SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)

Velocità di lettura 7250 MB/s

Velocità di scrittura 6300 MB/s

Lettura casuale (4KB) 1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Scrittura casuale (4KB) 1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Supporto di DevSIp (standby del dispositivo) Sì

Supporto S.M.A.R.T. Sì

Supporto TRIM Sì

Tempo medio tra guasti (MTBF) 1500000 h

Gestione energetica

Tensione di esercizio 3, 3 V

Consumo di energia (in lettura) 5, 5 W

Consumo di energia (in scrittura) 4, 8 W

Consumo energetico (inattivo) 0, 06 W

Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa) 5 mW

Dimensioni e peso

Larghezza 80, 2 mm

Profondità 2, 38 mm

Altezza 80, 2 mm

Peso 9 g

Dati su imballaggio

Larghezza imballo 148 mm

Profondità imballo 100 mm

Altezza imballo 22 mm

Peso dell'imballo 70 g

Condizioni ambientali

Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 70 °C

Shock di funzionamento 1500 G